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型号 IPP60R299CP
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
IPP60R299CP PDF
代理商 IPP60R299CP
产品培训模块 CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装 500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 299 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 100V
功率 - 最大 96W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 PG-TO220-3
包装 管件
产品目录页面 1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
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